Обзор памяти DDR4 и что нового на ISSCC 2012
Новая память DDR4, Что нового?
Проведем обзор оперативной памяти DDR 4. Итак два ведущих производителя динамической памяти, Hynix Semiconductor и Samsung Electronics, презентовали на конференции ISSCC работающие прототипы на новый модуль памяти DDR4.
А в ноутбуках память DDR4 способна снизить энергопотребление на 40% по сравнению с модулями DDR3 на 1.5 В. DDR4 от Hynix работает на 2400 МГц с напряжением 1.2 В и имеет пропускную способность до 19.2 Гбайт/с. На ISSCC 2012 Samsung и Hynix показали прототипы DDR4. Выполненные по нормам 30-нм и 38-нм соответственно.
Массовое производство новой оперативной памяти должно начаться в конце 2013 года по 20-нм технологии. При этом Elpida. Micron и Nanya пока что не показывали работающие образцы.
Ожидается, что массовое появление в продаже DDR 4 состоится только в середине 2014 года, хотя по слухам производство будет развернуто в серьезных объемах уже в 2013 году.
По материалам журнала "Железо".